casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / JR28F064M29EWTB TR
codice articolo del costruttore | JR28F064M29EWTB TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JR28F064M29EWTB TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
JR28F064M29EWTB TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JR28F064M29EWTB TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JR28F064M29EWTB TR-FT |
IS61NVP102418-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP102418-250B3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP102418-250B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP102418-250B3I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP102418-250B3I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-200B1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-200B1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-200B1I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-200B1I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-250B1I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel