casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N7370
codice articolo del costruttore | JANTXV2N7370 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N7370 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/624 |
JANTXV2N7370 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 100W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N7370 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N7370-FT |
JANTX2N5685
Microsemi Corporation
JANTX2N5686
Microsemi Corporation
JANTX2N5745
Microsemi Corporation
JANTX2N6211
Microsemi Corporation
JANTX2N6212
Microsemi Corporation
JANTX2N6213
Microsemi Corporation
JANTX2N6249
Microsemi Corporation
JANTX2N6249T1
Microsemi Corporation
JANTX2N6250T1
Microsemi Corporation
JANTX2N6251T1
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel