casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3739
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3739 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3739 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/402 |
JANTXV2N3739 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 25mA, 250mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 250mA, 10V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3739 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3739-FT |
JANTX2N2944A
Microsemi Corporation
JANTX2N3019/TR
Microsemi Corporation
JANTX2N3250A
Microsemi Corporation
JANTX2N3251AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N3420
Microsemi Corporation
JANTX2N3421S
Microsemi Corporation
JANTX2N3439U4
Microsemi Corporation
JANTX2N3440UA
Microsemi Corporation
JANTX2N3441
Microsemi Corporation
JANTX2N3584
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel