casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3501L
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3501L |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3501L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/366 |
JANTXV2N3501L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3501L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3501L-FT |
JANTXV2N4033
Microsemi Corporation
JANTX2N5667
Microsemi Corporation
JANTX2N5665
Microsemi Corporation
JANTX2N5303
Microsemi Corporation
JANTX2N2484
Microsemi Corporation
JANS2N2222A
Microsemi Corporation
JANS2N3700
Microsemi Corporation
JANTX2N3700
Microsemi Corporation
JANTX2N930
Microsemi Corporation
JANTX2N2906A
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel