casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N6075
codice articolo del costruttore | JANTXV1N6075 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N6075 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/503 |
JANTXV1N6075 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 850mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.04V @ 9.4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6075 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N6075-FT |
STTH15RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
STTH30RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH30RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
VS-60HFUR-300
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD500N45MSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
10A01-TP
Micro Commercial Co
1N4148UB2
Microsemi Corporation
1N4148UB2R
Microsemi Corporation
1N5400GP-TP
Micro Commercial Co
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel