casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5552
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5552 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5552 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
JANTXV1N5552 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5552 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5552-FT |
BAT54AW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54CW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54SW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
FERD30M45D
STMicroelectronics
FFSM0665A
ON Semiconductor
FFSM1265A
ON Semiconductor
NRVHPRS1AFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1BFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1DFA
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel