casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5190
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5190 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5190 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/297 |
JANTXV1N5190 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5190 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5190-FT |
JANTX1N5419US
Microsemi Corporation
JANTX1N5711-1/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5711UBD
Microsemi Corporation
JANTX1N5711UR-1/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5802URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5804URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5806URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5806US/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5807URS
Microsemi Corporation
JANTX1N5809URS
Microsemi Corporation
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation