casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N3595AUS
codice articolo del costruttore | JANTXV1N3595AUS |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N3595AUS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/241 |
JANTXV1N3595AUS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2nA @ 125V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N3595AUS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N3595AUS-FT |
JANTX1N3768R
Microsemi Corporation
JANTX1N3890A
Microsemi Corporation
JANTX1N3890R
Microsemi Corporation
JANTX1N3891A
Microsemi Corporation
JANTX1N3893
Microsemi Corporation
JANTX1N3893R
Microsemi Corporation
JANTX1N3910A
Microsemi Corporation
JANTX1N3911
Microsemi Corporation
JANTX1N3911R
Microsemi Corporation
JANTX1N3912
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel