casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N1206A
codice articolo del costruttore | JANTXV1N1206A |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N1206A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/260 |
JANTXV1N1206A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 38A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N1206A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N1206A-FT |
JANTX1N3673A
Microsemi Corporation
JANTX1N3766
Microsemi Corporation
JANTX1N3766R
Microsemi Corporation
JANTX1N3768
Microsemi Corporation
JANTX1N3768R
Microsemi Corporation
JANTX1N3890A
Microsemi Corporation
JANTX1N3890R
Microsemi Corporation
JANTX1N3891A
Microsemi Corporation
JANTX1N3893
Microsemi Corporation
JANTX1N3893R
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel