casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N3637
codice articolo del costruttore | JANTX2N3637 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N3637 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTX2N3637 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3637 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N3637-FT |
JAN2N2905A
Microsemi Corporation
JANTX2N3439
Microsemi Corporation
JANTX2N3440
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JANTX2N4150S
Microsemi Corporation
JANTX2N5153
Microsemi Corporation
JANTXV2N3439
Microsemi Corporation
JANTXV2N3440
Microsemi Corporation
JANTXV2N6193
Microsemi Corporation
JANTXV2N3637
Microsemi Corporation
JANTXV2N1613L
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
Intel
EPF10K50VBI356-4
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EP20K160EQC240-3N
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EPF10K30EQC208-2N
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