casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N3637
codice articolo del costruttore | JANTX2N3637 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N3637 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTX2N3637 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3637 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N3637-FT |
JAN2N2905A
Microsemi Corporation
JANTX2N3439
Microsemi Corporation
JANTX2N3440
Microsemi Corporation
JANTX2N4150S
Microsemi Corporation
JANTX2N5153
Microsemi Corporation
JANTXV2N3439
Microsemi Corporation
JANTXV2N3440
Microsemi Corporation
JANTXV2N6193
Microsemi Corporation
JANTXV2N3637
Microsemi Corporation
JANTXV2N1613L
Microsemi Corporation
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3L
Intel
XC7VX485T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel