casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N3507L
codice articolo del costruttore | JANTX2N3507L |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N3507L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JANTX2N3507L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3507L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N3507L-FT |
JANTXV2N3500L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3635L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3637L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3637UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N4261
Microsemi Corporation
JANTXV2N4261UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N4449
Microsemi Corporation
JANTXV2N5581
Microsemi Corporation
JANTXV2N918UB
Microsemi Corporation
NSVMMBT4401WT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel