casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N4150-1
codice articolo del costruttore | JANTX1N4150-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N4150-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/231 |
JANTX1N4150-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N4150-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N4150-1-FT |
UES1102SM
Microsemi Corporation
1N5417
Microsemi Corporation
UES1302
Microsemi Corporation
1N5825
Microsemi Corporation
1N4725
Microsemi Corporation
MX1H5615
Microsemi Corporation
APT15DQ60BG
Microsemi Corporation
APT15DQ120BG
Microsemi Corporation
APT15DQ100BG
Microsemi Corporation
APT30D60BG
Microsemi Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel