casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N918
codice articolo del costruttore | JAN2N918 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N918 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/301 |
JAN2N918 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-72-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N918 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N918-FT |
JAN2N1016B
Microsemi Corporation
JAN2N1016C
Microsemi Corporation
JAN2N1016D
Microsemi Corporation
JAN2N1479
Microsemi Corporation
JAN2N1485
Microsemi Corporation
JAN2N1486
Microsemi Corporation
JAN2N1489
Microsemi Corporation
JAN2N1613
Microsemi Corporation
JAN2N1711
Microsemi Corporation
JAN2N2218A
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
AX250-FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2N
Intel
5SGSMD6K3F40C2N
Intel
5SGSMD5H3F35C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
XC6VSX315T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation