casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N7373
codice articolo del costruttore | JAN2N7373 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N7373 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/613 |
JAN2N7373 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2.5A, 5V |
Potenza - Max | 4W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N7373 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N7373-FT |
HD1A3M(0)-T1-AZ
Renesas Electronics America
JAN2N1016B
Microsemi Corporation
JAN2N1016C
Microsemi Corporation
JAN2N1016D
Microsemi Corporation
JAN2N1479
Microsemi Corporation
JAN2N1485
Microsemi Corporation
JAN2N1486
Microsemi Corporation
JAN2N1489
Microsemi Corporation
JAN2N1613
Microsemi Corporation
JAN2N1711
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
Intel
EPF8282ALC84-4N
Intel
EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel