casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / JAN2N6990
codice articolo del costruttore | JAN2N6990 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6990 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/559 |
JAN2N6990 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 4 NPN (Quad) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 400mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 14-Flatpack |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-Flatpack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6990 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6990-FT |
BC846S/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC847BPN/ZLF
Nexperia USA Inc.
BC847BPN/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC847BS/ZLF
Nexperia USA Inc.
BC847BS/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC856S/ZLF
Nexperia USA Inc.
BC856S/ZLH
Nexperia USA Inc.
BC856S/ZLX
Nexperia USA Inc.
BCM847BS/ZLF
Nexperia USA Inc.
BCM847BS/ZLX
Nexperia USA Inc.
XC3S1000-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C7N
Intel
5AGXBA7D6F27C6N
Intel
EP3C16E144I7
Intel
EP4SE530F43I3
Intel
XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation