casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N5012
codice articolo del costruttore | JAN2N5012 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N5012 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/727 |
JAN2N5012 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5012 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N5012-FT |
CTLT3410-M621 TR
Central Semiconductor Corp
CTLT7410-M621 TR
Central Semiconductor Corp
CTLT8099-M322S TR
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CXT5401E BK
Central Semiconductor Corp
CXT5401E TR
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CXT5551E BK
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CXT5551E TR
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CZT2222A BK
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CZT2907A BK
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CZT3904 BK
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XC6SLX150-N3CSG484C
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XC2VP50-7FFG1517C
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XA7A35T-1CSG325Q
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XC6VLX75T-L1FFG784I
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XC6VHX250T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484I
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EP2SGX30CF780C5
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EP3SL150F780I3N
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EP4CE75F29C8
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