casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3419S
codice articolo del costruttore | JAN2N3419S |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3419S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/393 |
JAN2N3419S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3419S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3419S-FT |
HS2369A
Microsemi Corporation
HS2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2218
Microsemi Corporation
JAN2N2218AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C4L
Intel
XC5VLX330-1FFG1760C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
LFEC6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H3F34E2LG
Intel