casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N1893
codice articolo del costruttore | JAN2N1893 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N1893 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/182 |
JAN2N1893 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 15mA, 150mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N1893 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N1893-FT |
JAN2N3439
Microsemi Corporation
JAN2N2905A
Microsemi Corporation
JANTX2N3439
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JANTX2N3440
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JANTX2N4150S
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XC3S2000-5FGG900C
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XC2S15-6VQ100C
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XCS10-3VQ100C
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P600-1FGG484
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A40MX02-3PLG68I
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EP1S25F780I6N
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EP20K400BC652-1
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EP2S180F1020I4
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