casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N914UR
codice articolo del costruttore | JAN1N914UR |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N914UR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/116 |
JAN1N914UR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N914UR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N914UR-FT |
SBR10M100P5Q-13
Diodes Incorporated
SBR10M100P5Q-13D
Diodes Incorporated
SBR15U50SP5Q-13
Diodes Incorporated
SBR1A40S3Q-7
Diodes Incorporated
SBR3A40P1-7
Diodes Incorporated
SBRT05U20LPQ-7B
Diodes Incorporated
SBRT05U20S3Q-7
Diodes Incorporated
SDM05A30CP3-7
Diodes Incorporated
SDT40B100ST
Diodes Incorporated
SICRB12650TR
SMC Diode Solutions
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel