casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / JAN1N823-1
codice articolo del costruttore | JAN1N823-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N823-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/159 |
JAN1N823-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 3V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N823-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N823-1-FT |
1N6007D
Microsemi Corporation
1N6008A
Microsemi Corporation
1N6008C
Microsemi Corporation
1N6008D
Microsemi Corporation
1N6009A
Microsemi Corporation
1N6009C
Microsemi Corporation
1N6009D
Microsemi Corporation
1N6010A
Microsemi Corporation
1N6010B
Microsemi Corporation
1N6010C
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.