casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / JAN1N823-1
codice articolo del costruttore | JAN1N823-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N823-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/159 |
JAN1N823-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 3V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N823-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N823-1-FT |
1N6007D
Microsemi Corporation
1N6008A
Microsemi Corporation
1N6008C
Microsemi Corporation
1N6008D
Microsemi Corporation
1N6009A
Microsemi Corporation
1N6009C
Microsemi Corporation
1N6009D
Microsemi Corporation
1N6010A
Microsemi Corporation
1N6010B
Microsemi Corporation
1N6010C
Microsemi Corporation
XC4005XL-09VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
10CX105YU484E5G
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F31C6N
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel