casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6677UR-1
codice articolo del costruttore | JAN1N6677UR-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6677UR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/610 |
JAN1N6677UR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6677UR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6677UR-1-FT |
IRKE91/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
JAN1N1184
Microsemi Corporation
JAN1N1186
Microsemi Corporation
JAN1N1186R
Microsemi Corporation
JAN1N1188R
Microsemi Corporation
JAN1N1190
Microsemi Corporation
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel