casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6640US
codice articolo del costruttore | JAN1N6640US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6640US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/609 |
JAN1N6640US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 300mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6640US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6640US-FT |
IRKE91/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
JAN1N1184
Microsemi Corporation
JAN1N1186
Microsemi Corporation
JAN1N1186R
Microsemi Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel