casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6472
codice articolo del costruttore | JAN1N6472 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6472 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/552 |
JAN1N6472 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 15V |
Voltage - Breakdown (Min) | 16.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 26.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 322A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | G, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6472 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6472-FT |
JANTXV1N6130AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6131AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6132AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6133AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6134AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6135AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6136AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6137AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6461US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6462US
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel