casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6470US
codice articolo del costruttore | JAN1N6470US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6470US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/552 |
JAN1N6470US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 6V |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 11V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 775A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, G |
Pacchetto dispositivo fornitore | G-MELF (D-5C) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6470US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6470US-FT |
JAN1N6146AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6146US
Microsemi Corporation
JAN1N6147
Microsemi Corporation
JAN1N6147AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6147US
Microsemi Corporation
JAN1N6148
Microsemi Corporation
JAN1N6148AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6148US
Microsemi Corporation
JAN1N6149
Microsemi Corporation
JAN1N6149AUS
Microsemi Corporation
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation