casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6391
codice articolo del costruttore | JAN1N6391 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6391 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/553 |
JAN1N6391 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 22.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.5mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 2000pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6391 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6391-FT |
IRD3CH53DF6
Infineon Technologies
IRD3CH5BD6
Infineon Technologies
IRD3CH5DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DD6
Infineon Technologies
IRD3CH82DF6
Infineon Technologies
IRD3CH9DB6
Infineon Technologies
IRD3CH9DD6
Infineon Technologies
IRD3CH9DF6
Infineon Technologies
IRKE166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel