casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / JAN1N6342US
codice articolo del costruttore | JAN1N6342US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6342US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
JAN1N6342US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | - |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | - |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6342US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6342US-FT |
FXS04
ON Semiconductor
JAN1N2806B
Microsemi Corporation
JAN1N2806RB
Microsemi Corporation
JAN1N2807B
Microsemi Corporation
JAN1N2808B
Microsemi Corporation
JAN1N2810B
Microsemi Corporation
JAN1N2813B
Microsemi Corporation
JAN1N2821RB
Microsemi Corporation
JAN1N2825B
Microsemi Corporation
JAN1N2842B
Microsemi Corporation
EX256-PTQG100
Microsemi Corporation
XCKU035-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1PQG208M
Microsemi Corporation
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
XC4008E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel