casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / JAN1N6312
codice articolo del costruttore | JAN1N6312 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6312 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JAN1N6312 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.3V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 27 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6312 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6312-FT |
1N959B
Microsemi Corporation
1N960B
Microsemi Corporation
DZ2702400L
Panasonic Electronic Components
DZ2702700L
Panasonic Electronic Components
DZ2703000L
Panasonic Electronic Components
DZ2703300L
Panasonic Electronic Components
DZ2703600L
Panasonic Electronic Components
DZ2703900L
Panasonic Electronic Components
DZ2704300L
Panasonic Electronic Components
DZ2704700L
Panasonic Electronic Components
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation