casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6169
codice articolo del costruttore | JAN1N6169 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6169 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6169 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 98.8V |
Voltage - Breakdown (Min) | 117.33V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 187.74V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 7.98A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | C, Axial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6169 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6169-FT |
JAN1N6136US
Microsemi Corporation
JAN1N6137
Microsemi Corporation
JAN1N6137A
Microsemi Corporation
JAN1N6137AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6137US
Microsemi Corporation
JAN1N6138
Microsemi Corporation
JAN1N6138A
Microsemi Corporation
JAN1N6138AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6138US
Microsemi Corporation
JAN1N6139
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel