casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6165US
codice articolo del costruttore | JAN1N6165US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6165US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6165US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 69.2V |
Voltage - Breakdown (Min) | 82.18V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 131.36V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 11.4A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, C |
Pacchetto dispositivo fornitore | C, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6165US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6165US-FT |
JAN1N6134A
Microsemi Corporation
JAN1N6134AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6134US
Microsemi Corporation
JAN1N6135
Microsemi Corporation
JAN1N6135A
Microsemi Corporation
JAN1N6135AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6135US
Microsemi Corporation
JAN1N6136
Microsemi Corporation
JAN1N6136A
Microsemi Corporation
JAN1N6136AUS
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel