casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6149US
codice articolo del costruttore | JAN1N6149US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6149US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6149US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 15.2V |
Voltage - Breakdown (Min) | 18.05V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 29.09V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 51.49A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, C |
Pacchetto dispositivo fornitore | C, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6149US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6149US-FT |
JAN1N6122A
Microsemi Corporation
JAN1N6122AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6122US
Microsemi Corporation
JAN1N6123
Microsemi Corporation
JAN1N6123A
Microsemi Corporation
JAN1N6123AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6123US
Microsemi Corporation
JAN1N6124
Microsemi Corporation
JAN1N6124A
Microsemi Corporation
JAN1N6124AUS
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel