casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6147A
codice articolo del costruttore | JAN1N6147A |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6147A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6147A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12.2V |
Voltage - Breakdown (Min) | 15.2V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 22.3V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 67.3A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | G, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | C, Axial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6147A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6147A-FT |
MXRT100KP51AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP51CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP51CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP54A
Microsemi Corporation
MXRT100KP54AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP54CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP54CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP58A
Microsemi Corporation
MXRT100KP58AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP58CA
Microsemi Corporation
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN250-ZVQG100
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C8N
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
10AX022E3F29E2SG
Intel
EP4CE10E22C8LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7A200T-2FF1156I
Xilinx Inc.