casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6129US
codice articolo del costruttore | JAN1N6129US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6129US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6129US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 69.2V |
Voltage - Breakdown (Min) | 82.18V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 131.36V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 3.8A |
Potenza - Peak Pulse | 500W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6129US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6129US-FT |
JAN1N6104US
Microsemi Corporation
JAN1N6105
Microsemi Corporation
JAN1N6105A
Microsemi Corporation
JAN1N6105AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6105US
Microsemi Corporation
JAN1N6106
Microsemi Corporation
JAN1N6106A
Microsemi Corporation
JAN1N6106AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6106US
Microsemi Corporation
JAN1N6107
Microsemi Corporation
A54SX08A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX25-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2N
Intel