casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6112US
codice articolo del costruttore | JAN1N6112US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6112US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6112US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 13.7V |
Voltage - Breakdown (Min) | 16.25V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 26.36V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 18.91A |
Potenza - Peak Pulse | 500W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6112US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6112US-FT |
ICT-22
Microsemi Corporation
ICT-22C
Microsemi Corporation
ICT-36
Microsemi Corporation
ICT-36C
Microsemi Corporation
ICT-45
Microsemi Corporation
ICT-45C
Microsemi Corporation
ICT-5
Microsemi Corporation
ICT-5C
Microsemi Corporation
ICT-8
Microsemi Corporation
ICT-8C
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel