casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N6109US
codice articolo del costruttore | JAN1N6109US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N6109US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6109US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 9.9V |
Voltage - Breakdown (Min) | 11.73V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 19.11V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 26.13A |
Potenza - Peak Pulse | 500W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6109US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6109US-FT |
GSOT36C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
HSP053-4M5
STMicroelectronics
HSP061-4F4
STMicroelectronics
ICT-10
Microsemi Corporation
ICT-10C
Microsemi Corporation
ICT-12
Microsemi Corporation
ICT-12C
Microsemi Corporation
ICT-15
Microsemi Corporation
ICT-15C
Microsemi Corporation
ICT-18
Microsemi Corporation
XC3S1500-4FG456C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG256
Microsemi Corporation
MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2N
Intel
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation