casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N6076
codice articolo del costruttore | JAN1N6076 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN1N6076 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/503 |
JAN1N6076 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.76V @ 18.8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | E, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | E-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6076 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N6076-FT |
IRD3CH42DF6
Infineon Technologies
IRD3CH53DB6
Infineon Technologies
IRD3CH53DD6
Infineon Technologies
IRD3CH53DF6
Infineon Technologies
IRD3CH5BD6
Infineon Technologies
IRD3CH5DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DD6
Infineon Technologies
IRD3CH82DF6
Infineon Technologies
IRD3CH9DB6
Infineon Technologies
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel