casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / JAN1N5556
codice articolo del costruttore | JAN1N5556 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N5556 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/500 |
JAN1N5556 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 40.3V |
Voltage - Breakdown (Min) | 43.7V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 63.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 24A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-13 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-13 (DO-202AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5556 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5556-FT |
DLTS17
Microsemi Corporation
DLTS17A
Microsemi Corporation
DLTS19C
Microsemi Corporation
DLTS19CA
Microsemi Corporation
DLTS24
Microsemi Corporation
DLTS24A
Microsemi Corporation
DLTS30
Microsemi Corporation
DLTS30A
Microsemi Corporation
DLTS30C
Microsemi Corporation
DLTS30CA
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation