casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5550US
codice articolo del costruttore | JAN1N5550US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N5550US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
JAN1N5550US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5550US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5550US-FT |
IRD3CH11DF6
Infineon Technologies
IRD3CH16DB6
Infineon Technologies
IRD3CH16DD6
Infineon Technologies
IRD3CH16DF6
Infineon Technologies
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
IRD3CH24DD6
Infineon Technologies
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
IRD3CH31DB6
Infineon Technologies
IRD3CH31DD6
Infineon Technologies
IRD3CH31DF6
Infineon Technologies
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation