casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / JAN1N4619DUR-1
codice articolo del costruttore | JAN1N4619DUR-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N4619DUR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/435 |
JAN1N4619DUR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolleranza | ±1% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 1600 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400nA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4619DUR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N4619DUR-1-FT |
JAN1N4125UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4126CUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4126DUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4126UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4127CUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4127DUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4127UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4133CUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4133DUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4134CUR-1
Microsemi Corporation
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
EP4S100G5H40I2
Intel
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F31I5N
Intel