casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / JAN1N4483US
codice articolo del costruttore | JAN1N4483US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N4483US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/406 |
JAN1N4483US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 56V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 1.5W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 70 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250nA @ 44.8V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4483US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N4483US-FT |
JAN1N4468US
Microsemi Corporation
JAN1N4469US
Microsemi Corporation
JAN1N4470US
Microsemi Corporation
JAN1N4471US
Microsemi Corporation
JAN1N4472US
Microsemi Corporation
JAN1N4473US
Microsemi Corporation
JAN1N4474US
Microsemi Corporation
JAN1N4476US
Microsemi Corporation
JAN1N4478US
Microsemi Corporation
JAN1N4479US
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel