casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N3646
codice articolo del costruttore | JAN1N3646 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N3646 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/279 |
JAN1N3646 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1750V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 5V @ 250mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1750V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | S, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | S, Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3646 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N3646-FT |
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel