casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N3595A-1
codice articolo del costruttore | JAN1N3595A-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N3595A-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/241 |
JAN1N3595A-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2nA @ 125V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3595A-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N3595A-1-FT |
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel