casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / J271
codice articolo del costruttore | J271 |
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Numero di parte futuro | FT-J271 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
J271 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 6mA @ 15V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5V @ 1nA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Resistenza - RDS (On) | - |
Potenza - Max | 350mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J271 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | J271-FT |
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J111
ON Semiconductor
2N3820
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2N5457G
ON Semiconductor
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AQC
Microchip Technology
5AGXMA3D4F27C4G
Intel
5SGXMB6R3F43C2N
Intel
5SGXMA3K1F35I2N
Intel
EP2SGX90EF1152I4N
Intel
A1010B-PL44I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
5CEFA4U19I7N
Intel