casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / IXZR16N60
codice articolo del costruttore | IXZR16N60 |
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Numero di parte futuro | FT-IXZR16N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-MOS™ |
IXZR16N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | N-Channel |
Frequenza | 65MHz |
Guadagno | 23dB |
Tensione - Test | 100V |
Valutazione attuale | 18A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | - |
Potenza - Uscita | 350W |
Tensione: nominale | 600V |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZR16N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXZR16N60-FT |
BF862,235
NXP USA Inc.
ON5257,215
NXP USA Inc.
ON5520,215
NXP USA Inc.
ON4970,115
NXP USA Inc.
A2T27S007NT1
NXP USA Inc.
AFM906NT1
NXP USA Inc.
AFM907NT1
NXP USA Inc.
MHT1108NT1
NXP USA Inc.
A2V09H400-04NR3
NXP USA Inc.
A2T26H300-24SR6
NXP USA Inc.
A1415A-1PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40I3LN
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
10M04SCE144A7G
Intel
A42MX09-2PLG84I
Microsemi Corporation
5CEFA9U19I7N
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel
10AX115R1F40I1SG
Intel