casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / IXZR16N60
codice articolo del costruttore | IXZR16N60 |
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Numero di parte futuro | FT-IXZR16N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-MOS™ |
IXZR16N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | N-Channel |
Frequenza | 65MHz |
Guadagno | 23dB |
Tensione - Test | 100V |
Valutazione attuale | 18A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | - |
Potenza - Uscita | 350W |
Tensione: nominale | 600V |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZR16N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXZR16N60-FT |
BF862,235
NXP USA Inc.
ON5257,215
NXP USA Inc.
ON5520,215
NXP USA Inc.
ON4970,115
NXP USA Inc.
A2T27S007NT1
NXP USA Inc.
AFM906NT1
NXP USA Inc.
AFM907NT1
NXP USA Inc.
MHT1108NT1
NXP USA Inc.
A2V09H400-04NR3
NXP USA Inc.
A2T26H300-24SR6
NXP USA Inc.
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-1FG144I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
A14V25A-VQG100C
Microsemi Corporation
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29I8LN
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