casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / IXZH10N50L2A
codice articolo del costruttore | IXZH10N50L2A |
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Numero di parte futuro | FT-IXZH10N50L2A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-MOS™ |
IXZH10N50L2A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | N-Channel |
Frequenza | 70MHz |
Guadagno | 17dB |
Tensione - Test | 100V |
Valutazione attuale | 10A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | - |
Potenza - Uscita | 200W |
Tensione: nominale | 500V |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXFH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZH10N50L2A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXZH10N50L2A-FT |
ON5173,118
NXP USA Inc.
ON5234,118
NXP USA Inc.
ON5258,215
Nexperia USA Inc.
NE3511S02-A
CEL
NE3511S02-T1C-A
CEL
NE3512S02-A
CEL
NE3512S02-T1C-A
CEL
NE3514S02-A
CEL
NE3514S02-T1C-A
CEL
NE3515S02-A
CEL
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQG100C
Xilinx Inc.
5SGSMD8K2F40I2N
Intel
5SGXEB9R3H43C4N
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7VX550T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG144
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation