casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / IXZ318N50
codice articolo del costruttore | IXZ318N50 |
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Numero di parte futuro | FT-IXZ318N50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-MOS™ |
IXZ318N50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | N-Channel |
Frequenza | 65MHz |
Guadagno | 23dB |
Tensione - Test | 100V |
Valutazione attuale | 19A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | - |
Potenza - Uscita | 880W |
Tensione: nominale | 500V |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DE375 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZ318N50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXZ318N50-FT |
VRF3933
Microsemi Corporation
VRF2944
Microsemi Corporation
VRF2933FL
Microsemi Corporation
VRF2933
Microsemi Corporation
VRF157FL
Microsemi Corporation
VRF154FL
Microsemi Corporation
VRF151G
Microsemi Corporation
VRF141
Microsemi Corporation
VRF152
Microsemi Corporation
VRF150
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-5SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP3SL200F1152C3
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQG176
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
LFXP6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8636ALC84-2
Intel