casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXYP8N90C3D1
codice articolo del costruttore | IXYP8N90C3D1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXYP8N90C3D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™, XPT™ |
IXYP8N90C3D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 48A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 8A |
Potenza - Max | 125W |
Cambiare energia | 460µJ (on), 180µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 13.3nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 16ns/40ns |
Condizione di test | 450V, 8A, 30 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 114ns |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYP8N90C3D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXYP8N90C3D1-FT |
IXGH32N60AU1
IXYS
IXGH32N60B
IXYS
IXGH32N60BD1
IXYS
IXGH32N60BU1
IXYS
IXGH32N60C
IXYS
IXGH32N60CD1
IXYS
IXGH32N90B2
IXYS
IXGH32N90B2D1
IXYS
IXGH34N60B2
IXYS
IXGH35N120B
IXYS
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG676I
Xilinx Inc.
EP1C6F256I7
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSED8K3F40I3LN
Intel
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8
Intel
EP4SGX360FF35I4
Intel