casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXYP20N65C3D1
codice articolo del costruttore | IXYP20N65C3D1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXYP20N65C3D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™, XPT™ |
IXYP20N65C3D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
Potenza - Max | 200W |
Cambiare energia | 430µJ (on), 350µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 30nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/80ns |
Condizione di test | 400V, 20A, 20 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 135ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYP20N65C3D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXYP20N65C3D1-FT |
IXGH31N60
IXYS
IXGH31N60D1
IXYS
IXGH32N100A3
IXYS
IXGH32N60AU1
IXYS
IXGH32N60B
IXYS
IXGH32N60BD1
IXYS
IXGH32N60BU1
IXYS
IXGH32N60C
IXYS
IXGH32N60CD1
IXYS
IXGH32N90B2
IXYS
AGLN010V2-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100M
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AGL125V2-VQG100I
Microsemi Corporation
10M40DAF484I6G
Intel
EP2AGX45DF25C4N
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5SGXMB6R2F43I2LN
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XC5VLX50-1FF1153I
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XC7K420T-L2FFG901E
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-1FFG1156C
Xilinx Inc.