casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXYP20N65C3D1
codice articolo del costruttore | IXYP20N65C3D1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXYP20N65C3D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™, XPT™ |
IXYP20N65C3D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
Potenza - Max | 200W |
Cambiare energia | 430µJ (on), 350µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 30nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/80ns |
Condizione di test | 400V, 20A, 20 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 135ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYP20N65C3D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXYP20N65C3D1-FT |
IXGH31N60
IXYS
IXGH31N60D1
IXYS
IXGH32N100A3
IXYS
IXGH32N60AU1
IXYS
IXGH32N60B
IXYS
IXGH32N60BD1
IXYS
IXGH32N60BU1
IXYS
IXGH32N60C
IXYS
IXGH32N60CD1
IXYS
IXGH32N90B2
IXYS
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
XC7K325T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
A3P250-2FGG144
Microsemi Corporation
ICE40LP384-CM36TR
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC7D7F31C8N
Intel
AT6002LV-4JC
Microchip Technology