casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXYH100N65C3
codice articolo del costruttore | IXYH100N65C3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXYH100N65C3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™, XPT™ |
IXYH100N65C3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 420A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 70A |
Potenza - Max | 830W |
Cambiare energia | 2.15mJ (on), 840µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 164nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 28ns/106ns |
Condizione di test | 400V, 50A, 3 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXYH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYH100N65C3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXYH100N65C3-FT |
IXGA50N60C4
IXYS
IXGA7N60B
IXYS
IXGA7N60BD1
IXYS
IXGA7N60C
IXYS
IXGA7N60CD1
IXYS
IXGA8N100
IXYS
IXGA90N33TC
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IXYS
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IXYS
IXSA20N60B2D1
IXYS
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