casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXXH80N65B4H1
codice articolo del costruttore | IXXH80N65B4H1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXXH80N65B4H1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX4™, XPT™ |
IXXH80N65B4H1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 430A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
Potenza - Max | 625W |
Cambiare energia | 3.77mJ (on), 1.2mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 120nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 38ns/120ns |
Condizione di test | 400V, 80A, 3 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXXH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXXH80N65B4H1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXXH80N65B4H1-FT |
IXGA16N60B2D1
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IXGA16N60C2
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IXGA16N60C2D1
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IXGA20N100
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IXGA20N120B
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IXGA20N60B
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IXGA24N60C
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IXGA7N60B
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