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IXYS IXTP1R6N100D2

Name: IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTP1R6N100D2
Price: 1.48 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (385 reviews)

Numero parte MFG: IXTP1R6N100D2

quantità disponibile: 40140 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.48

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTP1R6N100D2.pdf

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IXTP1R6N100D2 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTP1R6N100D2
Numero di parte futuro	FT-IXTP1R6N100D2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTP1R6N100D2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP1R6N100D2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTP1R6N100D2-FT

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